MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.4 mΩ P, 67 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD12CN10NGATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3835
Codice costruttore:
IPD12CN10NGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.4mΩ

Modalità canale

P

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla migliore tecnologia successiva, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) che FOM

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