MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12.4 mΩ P, 67 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD12CN10NGATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

3,83 €

(IVA esclusa)

4,672 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2474 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 181,915 €3,83 €
20 - 481,65 €3,30 €
50 - 981,55 €3,10 €
100 - 1981,44 €2,88 €
200 +1,325 €2,65 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3835
Codice costruttore:
IPD12CN10NGATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.4mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

49nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza OptiMOS Infineon offrono soluzioni superiori per SMPS ad alta efficienza e alta densità di potenza. Rispetto alla migliore tecnologia successiva, questa famiglia raggiunge una riduzione del 30% sia in R DS(on) che FOM

Eccellenti prestazioni di commutazione

R DS(on) più basso al mondo

Ecocompatibile

Maggiore efficienza

Massima densità di potenza

Link consigliati