MOSFET onsemi, canale N, P, 136 mΩ, 266 mΩ, 1,5 A, 2 A, MCPH, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
791-9493
Codice costruttore:
MCH6660-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

1,5 A, 2 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

MCPH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

136 mΩ, 266 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

800 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-10 V, +10 V

Lunghezza

2mm

Carica gate tipica @ Vgs

1,7 nC a 4,5 V, 1,8 nC a 4,5 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

1.6mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

0.85mm

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.


Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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