MOSFET onsemi, canale P, 25 mΩ, 7,5 A, ECH, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
791-9425
Codice costruttore:
ECH8315-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

7,5 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

ECH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

25 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.6V

Dissipazione di potenza massima

1,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

18 nC a 10 V

Larghezza

2.3mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Altezza

0.9mm

MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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