MOSFET onsemi, canale N, 28 mΩ, 8 A, ECH, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2131
Codice costruttore:: ECH8663R-TL-H
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 28 mΩ, 8 A, ECH, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

549,00 €

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Codice RS:: 163-2131
Codice costruttore:: ECH8663R-TL-H
Costruttore:: onsemi

0.100" x 0.100" Latch / Ejector Header
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	ECH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	28 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Drain comune
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Lunghezza	2.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	12,3 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.3mm
Numero di elementi per chip	2
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale N, 28 mΩ, 8 A, ECH, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor

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