MOSFET onsemi, canale N, 28 mΩ, 8 A, ECH, Montaggio superficiale

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Codice RS:
163-2131
Codice costruttore:
ECH8663R-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

8 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

ECH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

28 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

1,4 W

Configurazione transistor

Drain comune

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

12,3 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

2

Materiale del transistor

Si

Larghezza

2.3mm

Altezza

0.9mm

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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