MOSFET onsemi, canale N, P, 115 mΩ, 3 A, 4 A, EMH, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-2139
Codice costruttore:: EMH2604-TL-H
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 115 mΩ, 3 A, 4 A, EMH, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

378,00 €

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Codice RS:: 163-2139
Codice costruttore:: EMH2604-TL-H
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	3 A, 4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	EMH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	115 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	4,7 nC a 4,5 V
Lunghezza	2mm
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.7mm
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, P, 115 mΩ, 3 A, 4 A, EMH, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

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