MOSFET onsemi, canale N, P, 115 mΩ, 3 A, 4 A, EMH, Montaggio superficiale

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Codice RS:
163-2139
Codice costruttore:
EMH2604-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

3 A, 4 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

EMH

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

115 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

1,2 W

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-10 V, +10 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

2mm

Carica gate tipica @ Vgs

4,7 nC a 4,5 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

1.7mm

Altezza

0.75mm

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.


Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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