MOSFET onsemi, canale P, 241 mΩ, 1,5 A, SCH, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 162-9634
- Codice costruttore:
- SCH1330-TL-H
- Costruttore:
- onsemi
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
- Codice RS:
- 162-9634
- Codice costruttore:
- SCH1330-TL-H
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | P | |
| Corrente massima continuativa di drain | 1,5 A | |
| Tensione massima drain source | 20 V | |
| Tipo di package | SCH | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima drain source | 241 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima | 1 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -10 V, +10 V | |
| Lunghezza | 1.6mm | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Larghezza | 1.5mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 1,7 nC a 4,5 V | |
| Altezza | 0.56mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale P | ||
Corrente massima continuativa di drain 1,5 A | ||
Tensione massima drain source 20 V | ||
Tipo di package SCH | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima drain source 241 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima 1 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -10 V, +10 V | ||
Lunghezza 1.6mm | ||
Materiale del transistor Si | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Larghezza 1.5mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Carica gate tipica @ Vgs 1,7 nC a 4,5 V | ||
Altezza 0.56mm | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semiconductor
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