MOSFET Nexperia, canale P, 55 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2801P
Codice costruttore:: PMV48XP,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 55 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 798-2801P
Codice costruttore:: PMV48XP,215
Costruttore:: Nexperia

PMV48XP, 20V, 3.5A P-channel Trench MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	55 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.25V
Tensione di soglia gate minima	0.75V
Dissipazione di potenza massima	415 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	8,5 nC a 4,5 V
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 55 mΩ, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, Nexperia

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