MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-268, Montaggio superficiale

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Codice RS:
801-1461
Codice costruttore:
IXFT18N100Q3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

18 A

Tensione massima drain source

1000 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo di package

TO-268

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

660 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

6.5V

Dissipazione di potenza massima

830 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

90 nC a 10 V

Lunghezza

16.05mm

Larghezza

14mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

5.1mm

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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