MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-268, Montaggio superficiale

Codice RS:: 801-1461
Codice costruttore:: IXFT18N100Q3
Costruttore:: IXYS

MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-268, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 801-1461
Codice costruttore:: IXFT18N100Q3
Costruttore:: IXYS

IXFT18N100Q3, IXFH18N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-268
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	660 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	6.5V
Dissipazione di potenza massima	830 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	90 nC a 10 V
Lunghezza	16.05mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	14mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	5.1mm

MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-268, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS