MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 46 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NTD20N06T4G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-1008
Codice costruttore:
NTD20N06T4G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

NTD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

46mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

21.2nC

Tensione diretta Vf

0.87V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.29mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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