MOSFET onsemi, canale N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FDB035N10A

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-3200
Codice costruttore:
FDB035N10A
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tensione diretta Vf

1.25V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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