Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FDB035N10A

Codice RS:: 802-3200
Codice costruttore:: FDB035N10A
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie FDB035N10A

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

10,32 €

(IVA esclusa)

12,60 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

52 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Più 200 unità in spedizione dal 22 luglio 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
2 - 18	5,16 €	10,32 €
20 - 198	4,45 €	8,90 €
200 +	3,855 €	7,71 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 802-3200
Codice costruttore:: FDB035N10A
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	120A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.25V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	333W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	89nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	4.83mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 120A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.25V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 333W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 89nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 4.83mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.