MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 22 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 806-3507
Codice costruttore:: FDMC86102LZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 22 A, Power 33, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 806-3507
Codice costruttore:: FDMC86102LZ
Costruttore:: onsemi

FDMC86102LZ, 100V N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	22 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	40 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	41 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	15,3 nC a 10 V, 7,6 nC a 4,5 V
Larghezza	3.3mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.75mm

MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 22 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

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