MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 6 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR418DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1275
Codice costruttore:
SIR418DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR418DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.71V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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