2 MOSFET di potenza Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 22 mΩ, 20 A 40 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1390
Codice costruttore:
SI7288DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.99mm

Altezza

1.07mm

Larghezza

5 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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