MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-247, Su foro
Brand: Infineon
SKU: 820-8855
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	195 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-247
Serie	StrongIRFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	341 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	274 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.31mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	15.87mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	20.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

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