MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 32 mΩ Miglioramento, 34 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP320N20N3GXKSA1
- Codice RS:
- 823-5642
- Codice costruttore:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
6,66 €
(IVA esclusa)
8,12 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 14 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 294 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 98 | 3,33 € | 6,66 € |
| 100 - 198 | 2,425 € | 4,85 € |
| 200 - 498 | 2,30 € | 4,60 € |
| 500 - 998 | 2,045 € | 4,09 € |
| 1000 + | 1,97 € | 3,94 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 823-5642
- Codice costruttore:
- IPP320N20N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 34A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 32mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 34A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 32mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Altezza 15.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima 34 A, dissipazione di potenza massima 136 W - IPP320N20N3GXKSA1
Questo MOSFET offre prestazioni elevate per varie applicazioni elettroniche. Con una capacità di corrente di drenaggio continua fino a 34A e una tensione di drenaggio-sorgente di 200V, rappresenta una soluzione di alimentazione efficiente. Il funzionamento in modalità enhancement garantisce prestazioni affidabili nei circuiti che richiedono la commutazione e il raddrizzamento sincrono.
Caratteristiche e vantaggi
• Design a canale N per un'efficace conversione di potenza
• La bassa resistenza di accensione riduce la perdita di energia
• Elevata tolleranza alla temperatura di esercizio per condizioni estreme
• Compatibile con le applicazioni di commutazione ad alta frequenza
• Privo di Pb e conforme alla direttiva RoHS per un utilizzo ecologico
• I materiali privi di alogeni migliorano la sicurezza e la conformità
Applicazioni
• Utilizzato negli alimentatori per l'automazione industriale
• Adatto per il raddrizzamento sincrono nei convertitori DC-DC
• Applicabile nei sistemi di ricarica dei veicoli elettrici
• Ideale per i sistemi di gestione delle batterie nell'elettronica di consumo
• Utilizzato negli inverter per le energie rinnovabili per un trasferimento di potenza efficiente
Qual è l'intervallo di temperatura massimo per il funzionamento?
Il componente funziona efficacemente tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a diverse condizioni ambientali.
È in grado di gestire correnti di drenaggio elevate?
Sì, supporta correnti di drenaggio continue fino a 34A, adatte ad applicazioni ad alta potenza.
Quali vantaggi offre la funzione RDS(on) basso?
La bassa resistenza di accensione riduce significativamente le perdite di energia durante il funzionamento, migliorando l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta potenza.
È adatta alle applicazioni automobilistiche?
Grazie all'elevata temperatura nominale e alla bassa resistenza all'accensione, è adatto per le applicazioni automobilistiche, fornendo prestazioni in condizioni difficili.
Come posso garantire una corretta dissipazione del calore durante l'installazione?
Per ottenere una gestione termica efficace, assicurarsi che il MOSFET sia montato su un dissipatore di calore o su un circuito stampato con un'area di rame sufficiente a favorire la dissipazione del calore generato durante il funzionamento.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 32 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET Infineon 32 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Transistor MOSFET Infineon 32 mΩ D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 93 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET STMicroelectronics 34 mΩ TO-220, Su foro
- MOSFET Infineon 32 A Su foro
- MOSFET Infineon 100 mΩ TO-247, Su foro
- MOSFET Infineon 5 80 A Su foro
