2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 73 mΩ, 3.6 A 80 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7380TRPBF
- Codice RS:
- 826-8904
- Codice costruttore:
- IRF7380TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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| 100 - 180 | 0,579 € | 11,58 € |
| 200 - 480 | 0,542 € | 10,84 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 826-8904
- Codice costruttore:
- IRF7380TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 73mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 73mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 3,6 A, dissipazione di potenza massima di 2 W - IRF7380TRPBF
Questo MOSFET è stato progettato per una gestione efficiente della potenza in varie applicazioni elettroniche. Con una tensione nominale elevata e una corrente di drenaggio continua di 3,6A, è adatto ai convertitori CC-CC ad alta frequenza, garantendo prestazioni affidabili. Il suo design avanzato offre una soluzione pratica ai professionisti dei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica che cercano un componente versatile per i loro circuiti.
Caratteristiche e vantaggi
• Il pacchetto SO-8, standard del settore, garantisce la compatibilità con diversi fornitori
• La bassa Rds(on) di 73mΩ ottimizza l'efficienza nelle applicazioni di potenza
• Il funzionamento in modalità Enhancement migliora le caratteristiche delle prestazioni
• La bassa carica del gate, pari a 15nC, facilita la velocità di commutazione
• La tensione massima di drain-source di 80 V consente di soddisfare esigenze di potenza elevate
• La conformità alla normativa RoHS e l'assenza di alogeni favoriscono la sicurezza ambientale
Applicazioni
• Utilizzato nei convertitori CC-CC ad alta frequenza per la regolazione della potenza
• Efficace nei sistemi di gestione delle batterie che richiedono una bassa perdita di potenza
• Adatto ai controllori di motori che necessitano di prestazioni di commutazione efficienti
• Impiegato nelle unità di alimentazione per migliorare l'efficienza generale
• Adatta a pilotare carichi induttivi come relè e solenoidi
Quali sono le implicazioni della corrente di drenaggio massima continua?
La corrente di drenaggio continua massima di 3,6A indica la capacità di gestire correnti più elevate in applicazioni come i circuiti di alimentazione, garantendo un funzionamento stabile senza surriscaldamento.
In che modo il basso valore di Rds(on) influisce sulle prestazioni?
La bassa Rds(on) di 73mΩ riduce le perdite di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva del sistema, particolarmente vantaggiosa nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza.
Qual è il significato dei suoi valori di temperatura?
Il funzionamento tra -55°C e +150°C garantisce che il componente possa resistere a condizioni ambientali difficili, rendendolo adatto alle applicazioni industriali.
Questo componente può essere montato direttamente su PCB?
Sì, il suo design a montaggio superficiale consente una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati, promuovendo processi di produzione efficienti e garantendo vantaggi in termini di risparmio di spazio nei progetti compatti.
In che modo la tensione di soglia del gate influenza il suo funzionamento?
Con una tensione di soglia del gate che varia da 2V a 4V, offre una certa flessibilità di progettazione, consentendo la compatibilità con vari segnali di controllo e garantendo al contempo un'efficace attivazione del dispositivo.
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