2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 200 mΩ, 3 A 50 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
168-8757
Codice costruttore:
IRF7103TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 3A, dissipazione di potenza massima di 2W - IRF7103TRPBF


Questo MOSFET è progettato per garantire prestazioni efficienti in diverse applicazioni. La sua struttura resistente è particolarmente vantaggiosa nei circuiti che richiedono un'efficace gestione dell'alimentazione, rendendolo adatto ai settori elettrico e dell'automazione. Con una tensione massima drain-source di 50 V, garantisce capacità di commutazione affidabili per soddisfare le esigenze delle applicazioni.

Caratteristiche e vantaggi


• Bassa Rds(on) di 200mΩ per una maggiore efficienza

• La corrente di drenaggio massima continua di 3A migliora la gestione della potenza

• Temperature operative fino a +150°C per una maggiore affidabilità

• Ampio intervallo di soglia del gate da 1V a 3V per un controllo flessibile

• La configurazione a doppio transistor isolato favorisce l'integrazione del circuito

• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio di PCB e ottimizza lo spazio

Applicazioni


• Utilizzato nei progetti di alimentazione per un funzionamento efficiente dal punto di vista energetico

• Integrato nell'azionamento del motore per un controllo efficiente del motore

• Impiegato negli alimentatori switching per migliorare le prestazioni

• Adatto ai sistemi di automazione che necessitano di componenti di commutazione affidabili

Qual è l'intervallo di temperatura operativa consigliato per questo componente?


Il componente funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo l'affidabilità in vari ambienti.

Come si determina la tensione di gate adatta per ottenere prestazioni ottimali?


La tensione di gate-source accettabile varia da -20V a +20V, offrendo flessibilità nei progetti dei circuiti di controllo. Per ottenere risultati ottimali, si consiglia di operare vicino a 10 V, come indicato dalle specifiche tipiche della carica di gate.

Quali sono le precauzioni di sicurezza da adottare quando si utilizza questo dispositivo?


È importante non superare i valori nominali di tensione e corrente durante il funzionamento per evitare potenziali guasti o danni. Inoltre, può essere necessario un dissipatore adeguato per mantenere le temperature di funzionamento ottimali in presenza di carichi elevati.

Può essere utilizzato in circuiti che richiedono una commutazione rapida?


Sì, questo MOSFET è stato progettato per una commutazione rapida, il che lo rende adatto ad applicazioni che richiedono prestazioni ad alta velocità, come il controllo PWM nei driver dei motori.

Questo MOSFET è compatibile con i layout dei circuiti stampati standard?


Il design a montaggio superficiale è conforme ai layout dei circuiti stampati standard, facilitando l'integrazione nei circuiti esistenti con minimi aggiustamenti per il posizionamento.

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