2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 200 mΩ, 3 A 50 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7103TRPBF
- Codice RS:
- 831-2865
- Codice Distrelec:
- 304-44-449
- Codice costruttore:
- IRF7103TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 831-2865
- Codice Distrelec:
- 304-44-449
- Codice costruttore:
- IRF7103TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 200mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 3A, dissipazione di potenza massima di 2W - IRF7103TRPBF
Questo MOSFET è progettato per garantire prestazioni efficienti in diverse applicazioni. La sua struttura resistente è particolarmente vantaggiosa nei circuiti che richiedono un'efficace gestione dell'alimentazione, rendendolo adatto ai settori elettrico e dell'automazione. Con una tensione massima drain-source di 50 V, garantisce capacità di commutazione affidabili per soddisfare le esigenze delle applicazioni.
Caratteristiche e vantaggi
• Bassa Rds(on) di 200mΩ per una maggiore efficienza
• La corrente di drenaggio massima continua di 3A migliora la gestione della potenza
• Temperature operative fino a +150°C per una maggiore affidabilità
• Ampio intervallo di soglia del gate da 1V a 3V per un controllo flessibile
• La configurazione a doppio transistor isolato favorisce l'integrazione del circuito
• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio di PCB e ottimizza lo spazio
Applicazioni
• Utilizzato nei progetti di alimentazione per un funzionamento efficiente dal punto di vista energetico
• Integrato nell'azionamento del motore per un controllo efficiente del motore
• Impiegato negli alimentatori switching per migliorare le prestazioni
• Adatto ai sistemi di automazione che necessitano di componenti di commutazione affidabili
Qual è l'intervallo di temperatura operativa consigliato per questo componente?
Il componente funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo l'affidabilità in vari ambienti.
Come si determina la tensione di gate adatta per ottenere prestazioni ottimali?
La tensione di gate-source accettabile varia da -20V a +20V, offrendo flessibilità nei progetti dei circuiti di controllo. Per ottenere risultati ottimali, si consiglia di operare vicino a 10 V, come indicato dalle specifiche tipiche della carica di gate.
Quali sono le precauzioni di sicurezza da adottare quando si utilizza questo dispositivo?
È importante non superare i valori nominali di tensione e corrente durante il funzionamento per evitare potenziali guasti o danni. Inoltre, può essere necessario un dissipatore adeguato per mantenere le temperature di funzionamento ottimali in presenza di carichi elevati.
Può essere utilizzato in circuiti che richiedono una commutazione rapida?
Sì, questo MOSFET è stato progettato per una commutazione rapida, il che lo rende adatto ad applicazioni che richiedono prestazioni ad alta velocità, come il controllo PWM nei driver dei motori.
Questo MOSFET è compatibile con i layout dei circuiti stampati standard?
Il design a montaggio superficiale è conforme ai layout dei circuiti stampati standard, facilitando l'integrazione nei circuiti esistenti con minimi aggiustamenti per il posizionamento.
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