2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 200 mΩ, 3 A 50 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7103TRPBF

Codice RS:: 831-2865
Codice Distrelec:: 304-44-449
Codice costruttore:: IRF7103TRPBF
Costruttore:: Infineon

2 MOSFET Infineon Tipo isolato, canale Tipo N, 200 mΩ, 3 A 50 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7103TRPBF

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Codice RS:: 831-2865
Codice Distrelec:: 304-44-449
Codice costruttore:: IRF7103TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	50V
	Tipo di package	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	200mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.5mm
	Lunghezza	5mm
	Larghezza	4 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V
	Tipo di package SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 200mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.5mm
	Lunghezza 5mm
	Larghezza 4 mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 3A, dissipazione di potenza massima di 2W - IRF7103TRPBF

Questo MOSFET è progettato per garantire prestazioni efficienti in diverse applicazioni. La sua struttura resistente è particolarmente vantaggiosa nei circuiti che richiedono un'efficace gestione dell'alimentazione, rendendolo adatto ai settori elettrico e dell'automazione. Con una tensione massima drain-source di 50 V, garantisce capacità di commutazione affidabili per soddisfare le esigenze delle applicazioni.

Caratteristiche e vantaggi

• Bassa Rds(on) di 200mΩ per una maggiore efficienza

• La corrente di drenaggio massima continua di 3A migliora la gestione della potenza

• Temperature operative fino a +150°C per una maggiore affidabilità

• Ampio intervallo di soglia del gate da 1V a 3V per un controllo flessibile

• La configurazione a doppio transistor isolato favorisce l'integrazione del circuito

• Il design a montaggio superficiale semplifica l'assemblaggio di PCB e ottimizza lo spazio

Applicazioni

• Utilizzato nei progetti di alimentazione per un funzionamento efficiente dal punto di vista energetico

• Integrato nell'azionamento del motore per un controllo efficiente del motore

• Impiegato negli alimentatori switching per migliorare le prestazioni

• Adatto ai sistemi di automazione che necessitano di componenti di commutazione affidabili

Qual è l'intervallo di temperatura operativa consigliato per questo componente?

Il componente funziona in modo efficiente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo l'affidabilità in vari ambienti.

Come si determina la tensione di gate adatta per ottenere prestazioni ottimali?

La tensione di gate-source accettabile varia da -20V a +20V, offrendo flessibilità nei progetti dei circuiti di controllo. Per ottenere risultati ottimali, si consiglia di operare vicino a 10 V, come indicato dalle specifiche tipiche della carica di gate.

Quali sono le precauzioni di sicurezza da adottare quando si utilizza questo dispositivo?

È importante non superare i valori nominali di tensione e corrente durante il funzionamento per evitare potenziali guasti o danni. Inoltre, può essere necessario un dissipatore adeguato per mantenere le temperature di funzionamento ottimali in presenza di carichi elevati.

Può essere utilizzato in circuiti che richiedono una commutazione rapida?

Sì, questo MOSFET è stato progettato per una commutazione rapida, il che lo rende adatto ad applicazioni che richiedono prestazioni ad alta velocità, come il controllo PWM nei driver dei motori.

Questo MOSFET è compatibile con i layout dei circuiti stampati standard?

Il design a montaggio superficiale è conforme ai layout dei circuiti stampati standard, facilitando l'integrazione nei circuiti esistenti con minimi aggiustamenti per il posizionamento.