MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 831-2865
Codice costruttore:: IRF7103TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 831-2865
Codice costruttore:: IRF7103TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7103, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	200 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET Infineon, canale N, 200 mΩ, 3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

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