MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 10 Ω Miglioramento, 190 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
826-9317
Codice costruttore:
BSS123NH6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

190mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.9mm

Altezza

1mm

Larghezza

1.3 mm

Distrelec Product Id

304-44-423

Standard automobilistico

AEC-Q101

Non applicabile

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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