MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 430 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD13N65M2

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

7,97 €

(IVA esclusa)

9,725 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1230 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,594 €7,97 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
876-5623
Codice costruttore:
STD13N65M2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh M2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

430mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati