MOSFET Infineon, canale N, 18,2 mΩ, 70 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 892-2292
- Codice costruttore:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 892-2292
- Codice costruttore:
- IPP100N08N3GXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 70 A | |
| Tensione massima drain source | 80 V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS™ 3 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 18,2 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 100 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 26 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 15.95mm | |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 70 A | ||
Tensione massima drain source 80 V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie OptiMOS™ 3 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 18,2 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 3.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 100 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 26 nC a 10 V | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 15.95mm | ||
Tensione diretta del diodo 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
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MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
Canale N, livello logico
Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)
Resistenza R DS(on) molto bassa
Placcatura senza piombo
Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC
Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione
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