MOSFET Infineon, canale N, 16,5 mΩ, 10,6 A, TO-220, Su foro

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10,6 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220

Serie

OptiMOS 2

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

16,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

100 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

36 nC a 10 V

Lunghezza

10.36mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Materiale del transistor

Si

Larghezza

4.57mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Altezza

15.95mm

Minima temperatura operativa

-55 °C