MOSFET STMicroelectronics, canale N, 5,6 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro
- Codice RS:
- 906-4680
- Codice costruttore:
- STP100N6F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Aggiunto
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| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 10 + | 0,767 € | 7,67 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 906-4680
- Codice costruttore:
- STP100N6F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Normative
Dettagli prodotto
STripFET™ a canale N, serie F7, STMicroelectronics
I MOSFET a bassa tensione serie STripFET™ F7 di STMicroelectronics hanno una resistenza in stato attivo del dispositivo inferiore, con capacità interna e carica di gate minori, per offrire una commutazione più veloce ed efficiente.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 100 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Serie | STripFET F7 |
| Tipo di package | TO-220 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 5,6 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Larghezza | 4.6mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 12,6 nC a 10 V |
| Lunghezza | 10.4mm |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |
| Altezza | 9.15mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
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