Transistor Darlington NPN onsemi, TO-220, 3 Pin, 5 A CC, 60 V c.c., , Montaggio su foro
- Codice RS:
- 186-7439
- Codice costruttore:
- TIP110G
- Costruttore:
- onsemi
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Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
0,654 €
(IVA esclusa)
0,798 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per stecca* |
| 50 - 50 | 0,654 € | 32,70 € |
| 100 - 450 | 0,474 € | 23,70 € |
| 500 - 950 | 0,403 € | 20,15 € |
| 1000 - 2450 | 0,349 € | 17,45 € |
| 2500 + | 0,348 € | 17,40 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 186-7439
- Codice costruttore:
- TIP110G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Il transistor di potenza bipolare Darlington è progettato per applicazioni di commutazione a bassa velocità e amplificatore per impieghi generali. Il TIP110, TIP111, TIP112 (NPN), TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) sono dispositivi complementari.
Alto guadagno di corrente c.c. - hFE = 2500 (tip.) @ IC = 1,0 Δdc
Tensione di sostentamento emettitore-collettore a 30 mA
Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) TIP110, TIP115
Vceo(sus) = 80 Vdc (Min) TIP111, TIP116
Vceo(sus) = 100 Vcc (Min) TIP112, TIP117
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore
VCE(sat) = 2,5 Vcc (max) @ IC= 2,0 Vcc = 4,0 Vcc (max) @ IC= 5,0 Vcc
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Contenitore compatto TO-220 AB
Tensione di sostentamento emettitore-collettore a 30 mA
Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) TIP110, TIP115
Vceo(sus) = 80 Vdc (Min) TIP111, TIP116
Vceo(sus) = 100 Vcc (Min) TIP112, TIP117
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore
VCE(sat) = 2,5 Vcc (max) @ IC= 2,0 Vcc = 4,0 Vcc (max) @ IC= 5,0 Vcc
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Contenitore compatto TO-220 AB
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo transistor | NPN |
| Corrente massima continuativa collettore | 5 A CC |
| Tensione massima collettore emitter | 60 V c.c. |
| Tensione massima base emitter | 5 V c.c. |
| Tipo di package | TO-220 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Configurazione | Single |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Guadagno minimo corrente c.c. | 500 |
| Tensione massima base del collettore | 60 V c.c. |
| Tensione massima di saturazione collettore emitter | 2,5 V c.c. |
| Lunghezza | 10.53mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Minima temperatura operativa | -65 °C |
| Dissipazione di potenza massima | 50 W |
| Larghezza | 4.83mm |
| Altezza | 15.75mm |
| Dimensioni | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
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