Transistor Darlington onsemi 1, TO-220, 3 Pin, 5 A NPN, 80 V cc, Foro passante 1000

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1000 - 24500,378 €18,90 €
2500 +0,369 €18,45 €

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Codice RS:
186-7440
Codice costruttore:
TIP121G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

5A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

80V cc

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Polarità transistor

NPN

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Tensione massima base del collettore VCBO

80V cc

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.75mm

Serie

TIP121

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.53mm

Corrente massima di cut-off collettore

0.5mA

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza bipolare Darlington è progettato per amplificatori per impieghi generali e applicazioni di commutazione a bassa velocità. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sono dispositivi complementari.

Guadagno di corrente c.c. elevato - hFE = 2500 (tipico) a IC = 4,0 Adc

Tensione di mantenimento collettore-emettitore a 100 mA

VCEO(sospensione) = 60 V c.c. (min.) TIP120, TIP125

VCEO(sospensione) = 80 V c.c. (min.) TIP121, TIP126

VCEO(sospensione) = 100 V c.c. (min.) TIP122, TIP127

Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore

VCE(sat) = 2,0 V c.c. (Max) a IC= 3,0 Adc = 4,0 V c.c. (Max) a IC= 5,0 Adc

Struttura monolitica con resistenze shunt emettitore-base integrate

Contenitore compatto TO-220 AB

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