- Codice RS:
- 186-7440
- Codice costruttore:
- TIP121G
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 03/09/2024.
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
0,745 €
(IVA esclusa)
0,909 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
50 - 50 | 0,745 € | 37,25 € |
100 - 450 | 0,521 € | 26,05 € |
500 - 950 | 0,451 € | 22,55 € |
1000 - 2450 | 0,383 € | 19,15 € |
2500 + | 0,381 € | 19,05 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 186-7440
- Codice costruttore:
- TIP121G
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Il transistore bipolare di potenza Darlington è progettato per applicazioni di commutazione generiche e a bassa velocità. Tip120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sono dispositivi complementari.
Alto guadagno di corrente c.c. - hFE = 2500 (tip.) @ IC = 4,0 Δdc
Scaricatore di condensa - Tensione di sostegno a 100 mA
Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) TIP120, TIP125
Vceo(sus) = 80 Vdc (Min) TIP121, TIP126
Vceo(sus) = 100 Vcc (Min) TIP122, TIP127
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore
VCE(sat) = 2,0 Vcc (max) @ IC= 3,0 Vcc = 4,0 Vcc (max) @ IC= 5,0 Vcc
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Contenitore compatto TO-220 AB
Scaricatore di condensa - Tensione di sostegno a 100 mA
Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) TIP120, TIP125
Vceo(sus) = 80 Vdc (Min) TIP121, TIP126
Vceo(sus) = 100 Vcc (Min) TIP122, TIP127
Bassa tensione di saturazione del collettore-emettitore
VCE(sat) = 2,0 Vcc (max) @ IC= 3,0 Vcc = 4,0 Vcc (max) @ IC= 5,0 Vcc
Costruzione monolitica con resistenze shunt Base-Emitter incorporate
Contenitore compatto TO-220 AB
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo transistor | NPN |
Corrente massima continuativa collettore | 5 A CC |
Tensione massima collettore emitter | 80 V c.c. |
Tensione massima base emitter | 5 V c.c. |
Tipo di package | TO-220 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Configurazione | Single |
Configurazione transistor | Singolo |
Numero di elementi per chip | 1 |
Guadagno minimo corrente c.c. | 1000 |
Tensione massima base del collettore | 80 V c.c. |
Tensione massima di saturazione collettore emitter | 4 V c.c. |
Lunghezza | 10.53mm |
Dimensioni | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
Minima temperatura operativa | -65 °C |
Dissipazione di potenza massima | 65 W |
Larghezza | 4.83mm |
Altezza | 15.75mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
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