Transistor Darlington onsemi 1, TO-220, 3 Pin, 5 A NPN, 80 V cc, Foro passante 1000

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1000 - 24500,378 €18,90 €
2500 +0,369 €18,45 €

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Codice RS:
186-7440
Codice costruttore:
TIP121G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Transistor Darlington

Corrente massima continua collettore Ic

5A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

80V cc

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Numero elementi per chip

1

Guadagno minimo di corrente CC hFE

1000

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Tensione massima base emettitore VBEO

5V cc

Tensione massima base del collettore VCBO

80V cc

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Minima temperatura operativa

-65°C

Polarità transistor

NPN

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

15.75mm

Lunghezza

10.53mm

Standard/Approvazioni

No

Serie

TIP121

Corrente massima di cut-off collettore

0.5mA

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza bipolare Darlington è progettato per amplificatori per impieghi generali e applicazioni di commutazione a bassa velocità. TIP120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) sono dispositivi complementari.

Guadagno di corrente c.c. elevato - hFE = 2500 (tipico) a IC = 4,0 Adc

Tensione di mantenimento collettore-emettitore a 100 mA

VCEO(sospensione) = 60 V c.c. (min.) TIP120, TIP125

VCEO(sospensione) = 80 V c.c. (min.) TIP121, TIP126

VCEO(sospensione) = 100 V c.c. (min.) TIP122, TIP127

Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore

VCE(sat) = 2,0 V c.c. (Max) a IC= 3,0 Adc = 4,0 V c.c. (Max) a IC= 5,0 Adc

Struttura monolitica con resistenze shunt emettitore-base integrate

Contenitore compatto TO-220 AB

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