MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 117 mΩ Miglioramento, 23 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP9140NPBF

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Codice RS:
542-9816
Codice Distrelec:
302-84-056
Codice costruttore:
IRFP9140NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

117mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Tensione diretta Vf

-1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

97nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

20.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Larghezza

5.3 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30284056

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 23 A, dissipazione di potenza massima di 140 W - IRFP9140NPBF


Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per garantire prestazioni di commutazione efficienti in varie applicazioni. È ideale per l'elettronica di potenza, in quanto combina un'elevata capacità di corrente di drenaggio continua con una bassa resistenza, facilitando un controllo affidabile e preciso nei sistemi di automazione ed elettrici in diversi ambienti operativi.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale P consente di progettare circuiti flessibili

• Corrente di drenaggio continua massima di 23A

• la tensione di drain-source nominale di 100 V aumenta la sicurezza

• Il basso RDS(on) di 117mΩ riduce la perdita di potenza

• Adatto alle applicazioni in modalità enhancement, garantisce prestazioni stabili

Applicazioni


• Utilizzato nel controllo dei motori per una maggiore efficienza

• Ideale per i sistemi di gestione dell'energia che richiedono un'elevata affidabilità

• Comune nei circuiti di alimentazione per un funzionamento robusto

• Impiegato nei regolatori a commutazione per un'efficace conversione di potenza

• Adatto ai sistemi di automazione industriale che richiedono una commutazione affidabile

Qual è la tensione massima di soglia del gate per il dispositivo?


Ha una tensione di soglia massima di 4 V, adatta a diversi progetti di circuiti.

Qual è l'impatto del valore RDS(on) sulle prestazioni?


Il basso valore RDS(on) di 117mΩ riduce al minimo le perdite di energia, migliorando l'efficienza e la gestione termica delle applicazioni.

Quali tipi di circuiti possono beneficiare di questo MOSFET?


È adatto sia ai circuiti lineari che a quelli di commutazione, il che lo rende versatile per diverse applicazioni elettroniche.

Qual è la carica tipica del cancello necessaria per il funzionamento?


Per ottenere prestazioni ottimali, il MOSFET richiede una carica di gate tipica di 97nC a una tensione gate-source di 10V.

Quali sono le implicazioni della temperatura massima di funzionamento?


Con una temperatura operativa massima di +175°C, questo dispositivo è adatto ad ambienti ad alta temperatura, migliorando la sua affidabilità in condizioni difficili.

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