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    MOSFET Vishay, canale P, 19 Ω, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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    Prezzo per 1pz in confezione da 10

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    *prezzo indicativo

    Opzioni di confezione:
    Codice RS:
    787-9222
    Codice costruttore:
    SI2333DDS-T1-GE3
    Costruttore:
    Vishay
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleP
    Corrente massima continuativa di drain6 A
    Tensione massima drain source12 V
    Tipo di packageSOT-23
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin3
    Resistenza massima drain source19 Ω
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate minima0.4V
    Dissipazione di potenza massima1,7 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-8 V, +8 V
    Lunghezza3.04mm
    Carica gate tipica @ Vgs23 nC a 8 V
    Materiale del transistorSi
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza1.4mm
    Altezza1.02mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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