Transistor JFET a effetto di campo a giunzione | RS
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    JFET

    JFET è l'acronimo di Junction Field-Effect transistor, ossia transistor a effetto di campo a giunzione. Un JFET è un dispositivo a quattro terminali, chiamati: gate, scarico, sorgente e corpo. Il terminal del corpo è sempre collegato alla sorgente. Esistono due tipi di transistor JFET: canale P a canale N.

    Nel catalogo RS online è disponibile ampia gamma di transistor JFET per ogni esigenza, inclusi modelli di J201 JFET e j310 JFET.

    JFET funzionamento

    Transistor JFET n

    Il nome canale N indica che gli elettroni sono portatori di carica maggioritaria. Per formare il canale N un semiconduttore di tipo N viene usato come base e drogato con un semiconduttore di tipo P alle due estremità.

    Entrambe queste regioni P sono elettricamente collegate insieme ad un contatto ohmico in corrispondenza della porta. 

    Due ulteriori terminali sono prelevati alle estremità opposte per il drenaggio e la sorgente.

    Struttura JFET a canale P

    Il nome canale P indica che le lacune sono la maggior parte dei portatori di carica. Per formare il canale P, un semiconduttore di tipo P viene usato come base e drogato con un semiconduttore di tipo N su entrambe le estremità. Le regioni N sono elettricamente collegate insieme ad un contatto ohmico in corrispondenza della porta. 

    Due ulteriori terminali sono prelevati alle estremità opposte per il drenaggio e la sorgente.

    Caratteristiche e vantaggi del JFET transistor

    • Elevata impedenza di ingresso
    • Dispositivo a tensione controllata
    • Un alto grado di isolamento tra l'ingresso e il uscita
    • Meno rumore

    In che ambito vengono utilizzati i transistor JFET?

    I transistor JFET hanno molte applicazioni nell'elettronica e nella comunicazione. È possibile utilizzarli come interruttore a controllo elettronico per controllare l'alimentazione elettrica a un carico, e come amplificatori.

    Qual è la differenza tra un JFET e un BJT?

    Il transistor bipolare (BJT) offre sia il flusso di portatori di carica maggioritaria che minoritaria.

    92 prodotti trovati per JFET

    onsemi
    N
    min. 2mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    100 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    min. 40mA
    -
    -25 V
    25V
    Single
    Singolo
    12 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    85pF
    85pF
    4.58 x 3.86 x 4.58mm
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    50 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    10 to 20mA
    15 V
    -
    -15V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    CP
    3
    10pF
    2.9pF
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    N
    10 to 20mA
    15 V
    -
    -15V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    CP
    3
    10pF
    2.9pF
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    N
    10 to 17mA
    15 V
    -
    -15V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    CP
    3
    10pF
    3pF
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    0,114 €
    Cadauno (in un sacchetto da 1000)
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    50 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    min. 5mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    50 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    min. 40mA
    -
    -25 V
    25V
    Single
    Singolo
    12 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    85pF
    85pF
    4.58 x 3.86 x 4.58mm
    onsemi
    N
    50 to 150mA
    30 V
    +30 V
    30V
    Single
    Singolo
    30 Ω
    Montaggio superficiale
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 0.94mm
    Toshiba
    N
    14mA
    -
    -50 V
    -
    -
    -
    -
    -
    S-MINI
    3
    -
    -
    -
    onsemi
    N
    min. 2mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    100 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    min. 20mA
    -
    -35 V
    35V
    Single
    Singolo
    30 Ω
    Su foro
    TO-92
    3
    28pF
    28pF
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    onsemi
    N
    20 to 40mA
    25 V
    -
    -25V
    Dual
    Sorgente comune
    -
    Montaggio superficiale
    CPH
    6
    6pF
    2.3pF
    2.9 x 1.6 x 0.9mm
    onsemi
    P
    -2 to -15mA
    15 V
    +30 V
    -30V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 1.04mm
    Toshiba
    N
    1.2 to 3.0mA
    10 V
    -30 V
    -50V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-346 (SC-59)
    3
    -
    -
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    Toshiba
    N
    0.3 to 0.75mA
    10 V
    -30 V
    -50V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-346 (SC-59)
    3
    -
    -
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    Toshiba
    N
    1.2 to 3.0mA
    10 V
    -30 V
    -50V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-346 (SC-59)
    3
    -
    -
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
    onsemi
    N
    0.3 to 1.5mA
    -
    -40 V
    40V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-23
    3
    -
    -
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    Toshiba
    N
    0.3 to 0.75mA
    10 V
    -30 V
    -50V
    Single
    Singolo
    -
    Montaggio superficiale
    SOT-346 (SC-59)
    3
    -
    -
    2.9 x 1.5 x 1.1mm
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