IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-3PN, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

78,24 €

(IVA esclusa)

95,46 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 450 unità in spedizione dal 24 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 302,608 €78,24 €
60 +2,452 €73,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
145-4447
Codice costruttore:
FGA40N65SMD
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

349W

Tipo di package

TO-3PN

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

Field Stop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

IGBT discreti, Fairchild Semiconductor


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati