IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 20 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

Visualizza IGBT
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
171-0128
Codice costruttore:
NGB8207ABNT4G
Costruttore:
Littelfuse
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Littelfuse

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

365V

Dissipazione di potenza massima Pd

165W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

6μs

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

15 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

15.88 mm

Altezza

4.83mm

Serie

Ignition IGBT

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.29mm

Standard automobilistico

No

Classificazione energetica

500mJ

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati