IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 20 A, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 171-0128
- Codice costruttore:
- NGB8207ABNT4G
- Costruttore:
- Littelfuse
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- Codice RS:
- 171-0128
- Codice costruttore:
- NGB8207ABNT4G
- Costruttore:
- Littelfuse
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Littelfuse | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 20A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 365V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 165W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 6μs | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.2V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 15 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | Ignition IGBT | |
| Larghezza | 15.88mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 10.29mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Classificazione energetica | 500mJ | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Littelfuse | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 20A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 365V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 165W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 6μs | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.2V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 15 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie Ignition IGBT | ||
Larghezza 15.88mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 10.29mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Classificazione energetica 500mJ | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT discreto, ON Semiconductor
Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
IGBT discreto, ON Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.