IGBT Littelfuse, VCE 365 V, IC 50 A, canale N, D2PAK (TO-263)

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Codice RS:
171-0128
Codice costruttore:
NGB8207ABNT4G
Costruttore:
Littelfuse
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Marchio

Littelfuse

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

365 V

Tensione massima gate emitter

±15V

Dissipazione di potenza massima

165 W

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+175 °C

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.


IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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