IGBT Littelfuse NGB8207ABNT4G, VCE 365 V, IC 20 A, canale N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
805-1753
Codice costruttore:
NGB8207ABNT4G
Costruttore:
Littelfuse
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Marchio

Littelfuse

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

365V

Dissipazione di potenza massima Pd

165W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

6μs

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.2V

Tensione emettitore gate massima VGEO

15 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.29mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

15.88mm

Serie

Ignition IGBT

Classificazione energetica

500mJ

Standard automobilistico

No

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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