IGBT STMicroelectronics STGWA40IH65DF, VCE 650 V, IC 40 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 202-5519
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
20,10 €
(IVA esclusa)
24,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 15 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 4,02 € | 20,10 € |
| 50 - 120 | 3,806 € | 19,03 € |
| 125 + | 3,61 € | 18,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5519
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 238W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 238W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT serie IH a commutazione graduale STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate struttura di arresto di campo, le cui prestazioni sono ottimizzate sia in perdite di conduzione che di commutazione per commutazione dolce.
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Link consigliati
- IGBT STMicroelectronics IC 40 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IGBT STMicroelectronics IC 80 A 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IC 80 A 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 IC 40 A TO-247, 3 Pin
- IGBT STMicroelectronics STGWA20HP65FB2 IC 40 A TO-247, 3 Pin
- IGBT Bourns IC 100 A, TO-247
- IGBT Infineon IC 161 A, TO-247
- IGBT STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG IC 87 A 3 Pin Foro passante
