IGBT STMicroelectronics STGWA40IH65DF, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 202-5519
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 202-5519
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 40A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 238W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Larghezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 40A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 238W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Larghezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT serie IH a commutazione graduale STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate struttura di arresto di campo, le cui prestazioni sono ottimizzate sia in perdite di conduzione che di commutazione per commutazione dolce.
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
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