IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 50 A, Max247 long leads

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

6,45 €

(IVA esclusa)

7,87 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 290 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 16,45 €
2 +6,13 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-3195
Codice costruttore:
STGYA50H120DF2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

535 W

Tipo di package

Max247 long leads

Configurazione

Serie

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode

Link consigliati