IGBT STMicroelectronics STGYA50H120DF2, VCE 1200 V, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-3195
Codice costruttore:
STGYA50H120DF2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

535W

Numero pin

3

Velocità di commutazione

5μs

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

H

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate Field Stop Structure. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat) leggermente positivo e una distribuzione dei parametri molto stretta determinano un funzionamento in parallelo più sicuro.

Temperatura massima di giunzione TJ = 175 °C.

5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti

Bassa VCE (sat) = 2,1 V (tip.) @ IC = 50 A.

Distribuzione dei parametri rigida

Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo a recupero molto rapido

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