IGBT STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, VCE 650 V, IC 216 A Singolo, canale NPN, ECOPACK, 9 Pin Superficie
- Codice RS:
- 273-5093
- Codice costruttore:
- STGSB200M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | 14,781 € | 2.956,20 € |
| 400 + | 14,411 € | 2.882,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5093
- Codice costruttore:
- STGSB200M65DF2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 216A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Numero transistor | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 714W | |
| Tipo di package | ECOPACK | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | NPN | |
| Numero pin | 9 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.5mm | |
| Larghezza | 22 mm | |
| Lunghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | UL1557 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 216A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Numero transistor 2 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 714W | ||
Tipo di package ECOPACK | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale NPN | ||
Numero pin 9 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.5mm | ||
Larghezza 22 mm | ||
Lunghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni UL1557 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
IGBT serie M a bassa perdita con arresto sul campo del gate a trincea per uso automobilistico di STMicroelectronics in un contenitore ACEPACK SMIT. Questo dispositivo è un IGBT sviluppato utilizzando una struttura avanzata proprietaria di arresto di campo del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali.
Distribuzione dei parametri stretta
Bassa resistenza termica
Dadi su substrato in rame a legame diretto (DBC)