IGBT STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG, VCE 650 V, IC 216 A Singolo, canale NPN, ECOPACK, 9 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
273-5094
Codice costruttore:
STGSB200M65DF2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continua collettore Ic

216A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Numero transistor

2

Dissipazione di potenza massima Pd

714W

Configurazione

Singolo

Tipo di package

ECOPACK

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

NPN

Numero pin

9

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.5mm

Standard/Approvazioni

UL1557

Lunghezza

4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
IGBT serie M a bassa perdita con arresto sul campo del gate a trincea per uso automobilistico di STMicroelectronics in un contenitore ACEPACK SMIT. Questo dispositivo è un IGBT sviluppato utilizzando una struttura avanzata proprietaria di arresto di campo del gate a trincea. Il dispositivo fa parte degli IGBT della serie M, che rappresentano un equilibrio ottimale tra le prestazioni e l'efficienza del sistema inverter in cui la bassa perdita e la funzionalità di cortocircuito sono essenziali.

Distribuzione dei parametri stretta

Bassa resistenza termica

Dadi su substrato in rame a legame diretto (DBC)

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