Modulo IGBT Infineon FS75R12W2T4BOMA1, VCE 1200 V, IC 107 A, Modulo Pannello

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 vassoio da 15 unità*

640,065 €

(IVA esclusa)

780,885 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Vassoio*
15 - 9042,671 €640,07 €
105 +39,115 €586,73 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
273-7410
Codice costruttore:
FS75R12W2T4BOMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

107A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tipo di package

Modulo

Tipo montaggio

Pannello

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.25V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

EN61140, IEC61140

Lunghezza

56.7mm

Altezza

15.5mm

Standard automobilistico

No

Il modulo IGBT di Infineon è caratterizzato da un montaggio robusto grazie ai morsetti di fissaggio integrati. Questo modulo IGBT presenta un VCEsat con coefficiente di temperatura positivo e un substrato in Al2O3 a bassa resistenza termica. È adatto ai servoazionamenti, ai sistemi UPS, al condizionamento dell'aria e agli azionamenti dei motori.

Basso VCEsat

Trench IGBT 4

Design compatto

Basse perdite di commutazione

Tecnologia dei contatti a saldare

Link consigliati