Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Parallelo, 256kbit, SOIC, 32K x 8 bit, AEC-Q100

La F-RAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è efficiente dal punto di vista energetico e offre la straordinaria affidabilità delle RAM statiche non volatili per le interfacce seriali e parallele. Le parti con suffisso A sono progettate per le applicazioni automobilistiche e sono certificate AEC-Q100.

Memoria RAM non volatile ferroelettrica
Velocità di scrittura rapida
Durata elevata
Basso consumo energetico

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 256 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 32 K x 8
Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive
Conservazione dei dati di 151 anni
Scrive NODELAY™
Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità
Compatibile con SRAM e EEPROM
Pinout SRAM ed EEPROM standard industriale 32 K x 8
Tempo di accesso di 70-ns, tempo di ciclo di 130-ns
Superiore ai moduli SRAM con batteria tampone
Nessun problema relativo alla batteria
Affidabilità monolitica
Vera soluzione per montaggio superficiale, nessuna fase di rettifica
Superiore per umidità, urti e vibrazioni
Resistente ai sottosquadri di tensione negativi
Basso consumo energetico
Corrente attiva 15 mA (max)
Corrente di standby 25 μA (tip.)
Funzionamento in tensione: VDD = da 4,5 V a 5,5 V.
Temperatura industriale: Da -40 °C a +85 °C.
Package SOIC (Small outline integrated circuit) a 28 pin

FRAM (RAM ferroelettrica)

La FRAM (memoria ad accesso causale ferroelettrica) è una memoria non volatile che usa una pellicola ferroelettrica come condensatore per la memorizzazione dei dati. Possedendo caratteristiche di dispositivi sia ROM che RAM, F-RAM offre accesso ad alta velocità, lunga durata in modalità di scrittura, basso consumo energetico, non volatilità ed eccellente resistenza alla manomissione. È, pertanto, la memoria ideale per l'uso in schede smart che richiedono elevata sicurezza e basso consumo energetico, nonché in telefoni cellulari e altri dispositivi.