MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD4NK60ZT4

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Codice RS:
151-439
Codice costruttore:
STD4NK60ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.34mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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