MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 4.8 Ω Miglioramento, 2 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD2HNK60Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-935
Codice costruttore:
STD2HNK60Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.6 mm

Lunghezza

10.1mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH basato su strisce ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

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