MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 63 mΩ Miglioramento, 30 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie

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Codice RS:
215-241
Codice costruttore:
SCT070HU120G3AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

HU3PAK

Serie

SCT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

63mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

23W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

18.58mm

Altezza

3.5mm

Larghezza

14 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
JP
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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