2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 800 mΩ, 0.9 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin ZXMS6008DN8-13
- Codice RS:
- 216-349
- Codice costruttore:
- ZXMS6008DN8-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
0,52 €
(IVA esclusa)
0,63 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 2360 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,52 € |
| 10 - 99 | 0,47 € |
| 100 - 499 | 0,43 € |
| 500 - 999 | 0,39 € |
| 1000 + | 0,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 216-349
- Codice costruttore:
- ZXMS6008DN8-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 800mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.13W | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1.45mm | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.13W | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1.45mm | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET DiodesZetex è un MOSFET IntelliFET a lato basso a doppia autoprotezione con ingresso a livello logico. Integra funzionalità a livello logico con protezione da sovratensione, sovracorrente, sovratensione e ESD. È ideale come interruttore per impieghi generali azionato da microcontrollori da 3,3 V o 5 V in ambienti difficili in cui i MOSFET standard non sono abbastanza robusti.
Contenitore di dissipazione ad alta potenza compatto
Bassa corrente di ingresso
Protezione contro i cortocircuiti con riavvio automatico
Protezione dalle sovratensioni
Spegnimento termico con riavvio automatico
Protezione da sovracorrente
Protezione ESD in ingresso
Corrente nominale continua elevata
Link consigliati
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 800 mΩ SO-8 8 Pin ZXMS6008DN8-13
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 800 mΩ SO-8 8 Pin ZXMS6008DN8Q-13
- MOSFET DiodesZetex 700 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie ZXMS6008N8-13
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 0.9 Ω UDFN 6 Pin
- 1 MOSFET DiodesZetex Duale 0.9 Ω UDFN 6 Pin DMP2090UFDB-7
- MOSFET DiodesZetex Duale 0.4 Ω US 6 Pin
- MOSFET DiodesZetex Duale 0.4 Ω US 6 Pin DMN3401LDWQ-7
- 2 MOSFET DiodesZetex Duale 700 mΩ US 6 Pin