2 MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 800 mΩ, 0.9 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin ZXMS6008DN8-13

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-349
Codice costruttore:
ZXMS6008DN8-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

0.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

ZXMS6008DN8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.13W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.45mm

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

6mm

Standard/Approvazioni

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
CN
Il MOSFET DiodesZetex è un MOSFET IntelliFET a lato basso a doppia autoprotezione con ingresso a livello logico. Integra funzionalità a livello logico con protezione da sovratensione, sovracorrente, sovratensione e ESD. È ideale come interruttore per impieghi generali azionato da microcontrollori da 3,3 V o 5 V in ambienti difficili in cui i MOSFET standard non sono abbastanza robusti.

Contenitore di dissipazione ad alta potenza compatto

Bassa corrente di ingresso

Protezione contro i cortocircuiti con riavvio automatico

Protezione dalle sovratensioni

Spegnimento termico con riavvio automatico

Protezione da sovracorrente

Protezione ESD in ingresso

Corrente nominale continua elevata

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