MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN5R5-60YS,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-492
Codice costruttore:
PSMN5R5-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

4.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

The Nexperia N-Channel MOSFET is housed in an LFPAK package and qualified to 175°C. It is designed for a wide range of industrial, communications, and domestic applications. Key uses include motor control, server power supplies, DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection and load switching.

Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge

High efficiency in switching power converters

Improved mechanical and thermal characteristics

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