MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 8.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN5R5-60YS,115

Visualizza MOSFET
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-492
Codice costruttore:
PSMN5R5-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

4.1 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Nexperia è alloggiato in un contenitore LFPAK e qualificato per 175 °C. È progettato per un'ampia gamma di applicazioni industriali, di comunicazione e domestiche. Gli impieghi principali includono il controllo del motore, gli alimentatori per server, i convertitori c.c.-c.c., la protezione delle batterie agli ioni di litio e la commutazione del carico.

L'avanzato TrenchMOS fornisce un basso RDSon e una bassa carica del gate

Elevata efficienza nei convertitori di potenza a commutazione

Caratteristiche meccaniche e termiche migliorate

Link consigliati

Recently viewed