MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 23 mΩ Miglioramento, 70 A, 7 Pin, TO-263, Superficie NTBG023N065M3S

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-040
Codice costruttore:
NTBG023N065M3S
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

NTB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

263W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69nC

Tensione diretta Vf

6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

9.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI (on Second Level Interconnection)

Altezza

15.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
I MOSFET SiC di ON Semiconductor sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. La tecnologia planare funziona in modo affidabile con una tensione di gate negativa e spegne i picchi sul gate. Le prestazioni sono ottimali quando è pilotato con un gate drive da 18 V, ma funziona bene anche con un gate drive da 15 V.

Carica di gate ultra bassa

Commutazione ad alta velocità con bassa capacità

Valanga testata al 100%

Il dispositivo è privo di alogenuri e conforme alla normativa RoHS

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