MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 10.9 mΩ Miglioramento, 145 A, 18 Pin, PIM18, Montaggio a innesto NXH008P120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-050
Codice costruttore:
NXH008P120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

145A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM18

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

18

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

34.2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

419nC

Tensione diretta Vf

6.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo di alimentazione di ON Semiconductor contiene un half-bridge MOSFET SiC da 8 mΩ e 1200 V e un termistore, tutti alloggiati in un pacchetto F1. Questo modulo è progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza, ed è quindi ideale per l'uso in inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Perni a pressione

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

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