MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 38.5 mΩ Miglioramento, 38 A, 22 Pin, PIM22, Montaggio a innesto NXH030F120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-054
Codice costruttore:
NXH030F120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

38A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM22

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

22

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

6V

Dissipazione di potenza massima Pd

34.2W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo di alimentazione ON Semiconductor contiene un full-bridge MOSFET SiC da 30 mΩ e 1200 V e un termistore, con un DBC (Direct Bonded Copper) in Al2O3 in un contenitore F1. Questo modulo ad alte prestazioni è progettato per una conversione efficiente dell'energia ed è ideale per applicazioni quali inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

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