MOSFET onsemi, canale Tipo P, Tipo N 1200 V Miglioramento, 192 A, 44 Pin, PIM44, Montaggio a innesto NXH600B100H4Q2F2PG

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

233,18 €

(IVA esclusa)

284,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +233,18 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-057
Codice costruttore:
NXH600B100H4Q2F2PG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

192A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM44

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

44

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.55V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

766nC

Dissipazione di potenza massima Pd

511W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo ibrido di boost simmetrico a tre canali di ON Semiconductor è dotato di due IGBT da 1000V, 200A e due diodi SiC da 1200V, 60A per canale, oltre a un termistore NTC per il monitoraggio della temperatura. Il modulo utilizza la tecnologia trench con field stop per un'elevata efficienza, riducendo significativamente le perdite di commutazione e la dissipazione di potenza del sistema. Il suo design offre un'elevata densità di potenza, rendendolo adatto ad applicazioni di potenza esigenti che richiedono prestazioni e gestione termica ottimali.

Layout a bassa induttività

Altezza ridotta del pacchetto

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati

Recently viewed