MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 24.5 mΩ Miglioramento, 105 A, 18 Pin, PIM18, Montaggio a innesto NXH010P120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-052
Codice costruttore:
NXH010P120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

PIM18

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

18

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

314nC

Dissipazione di potenza massima Pd

272W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Il modulo di alimentazione ON Semiconductor contiene un half-bridge MOSFET SiC da 10 mΩ e 1200 V e un termistore, il tutto integrato in un pacchetto F1. Questo modulo è adatto ad applicazioni ad alte prestazioni, tra cui inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Perni a pressione

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

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