MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 24.5 mΩ Miglioramento, 105 A, 18 Pin, PIM18, Montaggio a innesto NXH010P120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-052
Codice costruttore:
NXH010P120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

PIM18

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

18

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

272W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

314nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

6V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Il modulo di alimentazione ON Semiconductor contiene un half-bridge MOSFET SiC da 10 mΩ e 1200 V e un termistore, il tutto integrato in un pacchetto F1. Questo modulo è adatto ad applicazioni ad alte prestazioni, tra cui inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Perni a pressione

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

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