MOSFET onsemi, canale N 1.2 kV, 38.5 mΩ Miglioramento, 42 A, 18 Pin, PIM18, Montaggio a innesto NXH030P120M3F1PTG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
277-056
Codice costruttore:
NXH030P120M3F1PTG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

PIM18

Serie

NXH

Tipo montaggio

Montaggio a innesto

Numero pin

18

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

38.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il modulo di alimentazione di ON Semiconductor contiene un half-bridge MOSFET SiC da 30 mΩ e 1200 V e un termistore, tutti alloggiati in un pacchetto F1. Questo modulo è progettato per la conversione di potenza ad alta efficienza ed è ideale per applicazioni quali inverter solari, gruppi di continuità (UPS), stazioni di ricarica per veicoli elettrici e sistemi di alimentazione industriali.

Perni a pressione

Senza Pb

Senza alogenuri e conforme alla direttiva RoHS

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