MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V Miglioramento, 171 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC030N10NS5SCATMA1

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Codice RS:
284-639
Codice costruttore:
BSC030N10NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS di Infineon è progettato per fornire prestazioni eccezionali in applicazioni impegnative. Come parte della serie OptiMOS 5, combina la tecnologia di messa a terra con caratteristiche robuste per soddisfare le esigenze delle applicazioni industriali. Con una sostanziale tensione di rottura della sorgente di drenaggio di 100 V e una significativa capacità di valanga, questo componente garantisce un funzionamento robusto in situazioni di stress elevato. Il design innovativo del prodotto semplifica la dissipazione del calore, preservando le prestazioni anche sotto carichi pesanti, il che si traduce in una maggiore longevità e affidabilità nei circuiti.

Il raffreddamento a doppio lato ottimizza la distribuzione del calore

Valore nominale di 175 °C per ambienti difficili

La configurazione del canale N migliora la flessibilità

La resistenza termica superiore ottimizza l'efficienza

100% testato in valanga per l'affidabilità

Placcatura senza piombo conforme a RoHS

Struttura priva di alogeni per una maggiore compatibilità con l'ambiente

Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria

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