MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 331 A, 16 Pin, PG-HDSOP-16, Superficie IPTC017N12NM6ATMA1

Il MOSFET Infineon è dotato di un transistor di potenza OptiMOS 6, progettato per garantire prestazioni eccezionali nelle applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Con un design robusto, questo transistor MOSFET è dotato di una configurazione di canale N che garantisce una resistenza di stato minima e caratteristiche di carica del gate ottimizzate, il che lo rende ideale per i moderni circuiti elettronici. L'elevato grado di energia da valanga e l'ampio intervallo di temperature operative fino a 175°C ne aumentano ulteriormente l'affidabilità in diverse applicazioni industriali. Contenuto in un contenitore PG HDSOP 16, questo prodotto combina dimensioni compatte con elevate prestazioni termiche, il che lo rende una scelta preziosa per gli ingegneri che cercano soluzioni affidabili ed efficienti per la gestione dell'alimentazione in ambienti difficili.

Configurazione a N canali per un controllo superiore